РУС ENG
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Российская Академия Наук

Успешное сотрудничество ученых ИПХФ РАН и ИОХ РАН позволило создать фотоуправляемые органические транзисторы нового поколения

31 марта 2016 г.

В Лаборатории функциональных материалов для электроники и медицины под руководством профессора П. А. Трошина (Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка) разработана новая концепция работы фотоуправляемых органических полевых транзисторов (т.н. organic field-effect transistor, OFET). В отличие от известных примеров, переключение между двумя состояниями происходит под действием не только света, но и электрического тока. Предварительные исследования показали, что в основе работы полученных устройств лежит разделение зарядов между диэлектрическим слоем бистабильного диарилэтена и слоем полупроводника (им служит фуллерен C60).

Такой подход позволяет увеличить скорость работы устройства (программирование происходит в течение миллисекунд), а также улучшает коэффициент переключения тока на стоковом электроде (до 100000). Данные параметры значительно превосходят таковые для аналогичных устройств, опубликованных ранее, и позволяют рассчитывать на практическое применение концепции при создании элементов памяти и световых сенсоров.


В работе был использован фото- и электрохромный диарилэтен, полученный в Лаборатории гетероциклических соединений ИОХ РАН (заведующий лабораторией — проф. М. М. Краюшкин, ответственный исполнитель – д.х.н. В. З. Ширинян).

Подробнее здесь:

«OFET-based memory devices operating via optically and electrically modulated charge separation between the semiconductor and 1,2-bis(hetaryl)ethene dielectric layers»

L.A. Frolova, A.A. Rezvanova, V.Z. Shirinian, A.G. Lvov, A.V. Kulikov, M.M. Krayushkin, P.A. Troshin. Adv. Electron. Mater. 2016, 2, 1500219, DOI: 10.1002/aelm.201500219.

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.201500219/full