Оборудование

Микроскоп электронный сканирующий SU8000, Hitachi, Япония

Назначение

- Изучение поверхности токопроводящих образцов методом сканирующей электронной микроскопии с полевой эмиссией (FE-SEM);

- Изучение поверхности токонепроводящих образцов при небольшом напряжении и/или после напыления токопроводящего слоя углерода или металла;

- Определение элементного состава образцов;

- Элементное картирование образцов методом EDS/РСМА .

- Получение дифракционных изображений методом EBSD/ДОРЭ .

Благодаря высокой универсальности данный прибор позволяет выполнять широкий спектр исследовательских задач по визуализации.

Технические характеристики 

Разрешение: 1,5 нм (напряжение 1 кВ), 1,0 нм (напряжение 15 кВ);

Ускоряющее напряжение: 0,1-30 кВ;

Увеличение: 20-800 000 крат;

Электронная пушка: Холодный катод с полевой эмиссией;

Детекторы вторичных электронов: 3 детектора типа "сцинтиллятор — фотоумножитель" с возможностью микширования сигналов;

Детектор обратно отражённых электронов (BSE) — детектор обратно отражённых электронов фотодиодного типа;

Анализ — Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр, дифракция обратно отражённых электронов (EBSD).

Микроскоп электронный просвечивающий HT7700, Hitachi, Япония

Назначение

- Получение изображений сверхтонких плёнок и срезов (толщиной менее 100 нм);

- Исследование микро- и нано-структуры мелкодисперсных порошков;

- Изучение частиц, находящихся в растворе;

- Получение электронных дифракционных изображений.

Технические характеристики

Разрешение: 0,144 нм (напряжение 120 кВ);

Ускоряющее напряжение: 40-120 кВ;

Увеличение: 200-800 000 крат;

Детектор: CCD.

Микроскоп электронный сканирующий Regulus8230, Hitachi, Япония

Назначение

- Изучение поверхности токопроводящих образцов методом сканирующей электронной микроскопии с полевой эмиссией (FE-SEM);

- Изучение поверхности токонепроводящих образцов при небольшом напряжении и/или после напыления токопроводящего слоя углерода или металла;

- Определение элементного состава образцов;

- Автоматическая (zig-zag) съёмка участков поверхности;

- Элементное картирование образцов методом EDS/РСМА (безоконное), в том числе при большом увеличении (более 100 тыс. крат);

Прибор принадлежит новой линейке сканирующих электронных микроскопов, он сочетает в себе возможности предыдущих, добавляя к ним функциональность и простоту использования.

Технические характеристики

Разрешение: 0,9 нм (напряжение 1кВ), 0,7 нм (напряжение 15кВ);

Увеличение: 20 — 2 000 000 крат.;

Ускоряющее напряжение: 0,5 – 30 кВ;

Электронная пушка: Холодный катод с полевой эмиссией;

Детекторы вторичных электронов: 3 детектора типа "сцинтиллятор — фотоумножитель" с возможностью микширования сигналов;

Детектор обратно отражённых электронов (BSE) — детектор обратно отражённых электронов фотодиодного типа;

STEM-детекторы: BF-STEM, DF-STEM;

Анализ — Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр.